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DTC114EET1G中文资料

DTC114EET1G图片

DTC114EET1G外观图

  • 大小：187.66KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Bias Resistor Transistor
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：35 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SC-75，SOT-416
  • 供应商设备封装：SC-75，SOT-416
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：DTC114EET1GOSDTC114EET1GOS-NDDTC114EET1GOSTR

DTC114EET1G供应商

更新时间:2022-12-31 23:06:15
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DDX-206013TRDMN5L06VK-7DTC115EUA T106DMN3052L-7DAN202KDMG3414U-7DMS2120LFWB-7DTA114YEDG444DYDTC114EETL

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